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一种集成电路互连线寄生电容的建模方法

摘要

一种用于集成电路互连线寄生电容的建模方法。所述的建模方法为:针对一个给定互连线结构,用有限元法求其寄生电容的一阶、二阶敏感度,建立对应的二阶寄生电容基础表达式,并用该表达式计算设计尺寸参数有效范围内若干计算点的寄生电容初值,再用有限元场求解器直接算出这些计算点的寄生电容值,把相同点的这两个电容值相减,得到一系列误差值,用这些误差值拟合出一个误差修正表达式,把此误差修正表达式叠加到之前得到的二阶寄生电容基础表达式上,最终得到该互连线结构更为精确的寄生电容表达式。

著录项

  • 公开/公告号CN103164572B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN201310057370.4

  • 发明设计人 屈慧;徐小宇;

    申请日2013-02-22

  • 分类号

  • 代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人关玲

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2022-08-23 09:31:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-02

    授权

    授权

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20130222

    实质审查的生效

  • 2013-06-19

    公开

    公开

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