一种提高通孔中钛和氮化钛填充能力的方法

摘要

本发明公开了一种提高通孔中钛和氮化钛填充能力的方法，在对晶片通孔填充钛和氮化钛之前，在一个反应室中用射频激发氩气轰击晶片的表面。实验证明，对晶片表面进行RF处理后能显著提高钛和氮化钛的填充能力，有效保证了钨塞和整个后段工艺的实现。该方法节省了工艺成本，适合应用于较低成本的大规模集成电路的生产中。