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集成光波导渐逝场传感器和用在这样的传感器中的基板的纵向部分

摘要

本发明涉及用于感测化学和/或物理量的集成光波导渐逝场传感器(1),其包括支撑波导层结构的基板(2),所述基板设置有:-波导核心层(10),其夹在由具有比波导核心层(10)更低的折射率的下覆层(11)和上覆层(12)形成的两个覆层(11、12)之间;-感测部分(14A、14B),其包含被包括在上覆层(12)中的感测层(13),其中所述基板的包括所述波导层结构以及所述感测部分(14A、14B)的纵向部分作为单独元件(20)是可更换的。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N21/77 授权公告日:20151125 终止日期:20160615 申请日:20110615

    专利权的终止

  • 2015-11-25

    授权

    授权

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/77 申请日:20110615

    实质审查的生效

  • 2013-04-03

    公开

    公开

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