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使用改进的碳薄膜的场发射器件

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摘要

一种场发射器件，该器件包括在衬底上的碳膜层，其中该碳膜层在1578～1620cm^-1的范围内有第一紫外喇曼带，且该第一紫外喇曼带的最大高度的1/2处的全宽度(FWHM)为25～165cm^-1。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-09-23

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 1/02 授权公告日:20050406 终止日期:20140729 申请日:19980729

专利权的终止
2005-04-06

授权

授权
2000-11-01

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2000-09-13

公开

公开

1. 使用改进的碳薄膜的场发射器件 [P] . 中国专利： CN1196156C . 2005.04.06
2. 用于场发射器件的碳薄膜 [P] . 中国专利： CN1266536A . 2000-09-13
3. Method of manufacturing tubular carbon molecule and tubular carbon molecule, method of manufacturing field electron emission device and field electron emission device, and method of manufacturing display unit and display unit [P] . 美国专利： US7828620B2 . 2010-11-09

机译：管状碳分子和管状碳分子的制造方法，场电子发射器件和场电子发射器件的制造方法以及显示单元和显示单元的制造方法
4. Being the carbon thin film and the field emission electron source which uses that and the carbon [P] . 日本专利： JP4245438B2 . 2009-03-25

机译：作为碳薄膜和使用它的场发射电子源以及碳
5. Method of manufacturing Emitter for Field Emission and Field Emission Device manufactured by using the same [P] . 韩国专利： KR101491206B1 . 2015-02-06

机译：用于场发射的发射极的制造方法和使用该发射极的场致发射装置制造的场发射器件