1.3μm波长的无偏振高效率发光量子点器件及设计方法

摘要

本发明公开了一种1.3μm波长的无偏振高效率发光量子点器件。我们采用在基底沉积全方向反射镜结构(DBR)，然后再沉积制备量子点(InAs/GaAs)，接着继续沉积以供刻蚀微腔的材料层。利用电子束曝光系统(EBL)与感应耦合等离子体刻蚀设备(ICP)，在顶层的材料制备出设计的环形空气孔光子晶体微腔。利用本发明设计的量子点发光器件，可以对1.3μm波长的横磁模(TM)与横电模(TE)均具有很高的品质因子和发光效率。本发明提出的发光量子点器件可以实现在1.3μm波长横磁模(TM)与横电模(TE)的高效率发射。