化学机械研磨装置及使用该装置对硅片进行研磨的方法

摘要

一种化学机械研磨装置，包括：转盘；固定于所述转盘上的抛光垫；抛光头，其端面用于与所述抛光垫配合使用研磨硅片；管道，其上设置有出口，用于提供研磨所需的液体；其中，抛光垫包括位于转盘中心区域的第一抛光垫及环绕第一抛光垫的第二抛光垫，第二抛光垫的表面至少可以容纳抛光头，第一抛光垫与第二抛光垫之间具有间隙；该出口至少两个，一个用于对第一抛光垫提供研磨所需液体，另一个用于对第二抛光垫提供研磨所需液体，该研磨所需液体至少包括研磨液与去离子水。本发明同时提供了两种采用该装置对硅片进行研磨的方法。采用本发明提供的技术方案，可以满足现有的CMP装置无法实现单独对硅片边缘区域进行研磨的需求。