公开/公告号CN103400936B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-18
原文格式PDF
申请/专利权人 桂林电子科技大学;
申请/专利号CN201310324856.X
申请日2013-07-30
分类号H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101);H01L27/28(20060101);H01L51/00(20060101);
代理机构45112 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司;
代理人刘梅芳
地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
入库时间 2022-08-23 09:31:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-18
授权
授权
2013-12-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20130730
实质审查的生效
2013-11-20
公开
公开
机译: 半导体器件肖特基二极管,具有在n型碳化硅衬底上形成的肖特基电极,该肖特基电极电连接到P型阱区域上方的键合线
机译: 一种半导体存储器系统的制造方法,其能够保持变阻存储器中存储的数据
机译: 半导体衬底上的肖特基FET-已通过模型测量得出了指定的栅极宽度,该模型的测量结果允许计算特性系数。