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具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法

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具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由衬底、经(NH

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公开/公告号CN103268897B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-04

原文格式PDF
申请/专利权人吉林大学;
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申请/专利号CN201310210273.4
发明设计人刘彩霞;刘国华;阮圣平;张海峰;郭文滨;周敬然;董玮;沈亮;张歆东;温善鹏;
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申请日2013-05-30
分类号
代理机构长春吉大专利代理有限责任公司;
代理人张景林
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号
入库时间 2022-08-23 09:30:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-21

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/101 授权公告日:20151104 终止日期:20180530 申请日:20130530

专利权的终止
2015-11-04

授权

授权
2013-09-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/101 申请日:20130530

实质审查的生效
2013-08-28

公开

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外文文献

1. 具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法 [P] . 中国专利： CN103268897A . 2013-08-28
2. Silicon metal-oxide-semiconductor field effect transistor (Si MOSFET) with a wide-bandgap III-V compound semiconductor group drain and method for fabricating the same [P] . 美国专利： US11271109B2 . 2022-03-08

机译：具有宽禁带III-V化合物半导体群漏极的硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）及其制造方法

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