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具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法

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摘要

具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由衬底、经(NH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-05-21

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/101 授权公告日:20151104 终止日期:20180530 申请日:20130530

专利权的终止
2015-11-04

授权

授权
2013-09-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/101 申请日:20130530

实质审查的生效
2013-08-28

公开

公开

1. 具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法 [P] . 中国专利： CN103268897B . 2015.11.04
2. 一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法 [P] . 中国专利： CN103413839A . 2013-11-27
3. FRONT ELECTRODE WITH A LAYER OF THIN METAL FILM AND A BUFFER LAYER WITH A HIGH OUTPUT OPERATION FOR APPLICATION IN A PHOTOELECTRIC INSTRUMENT AND METHOD FOR PRODUCING SUCH [P] . 俄罗斯专利： RU2009120692A . 2010-12-10

机译：用于光电仪器的具有薄金属膜层和具有高输出操作的缓冲层的前电极及其制备方法
4. Oxide semiconductor thin film transistor with an aluminum oxide protective film made using a continuous deposition process of aluminum oxide laminated with an aluminum film [P] . 美国专利： US8906738B2 . 2014-12-09

机译：具有氧化铝保护膜的氧化物半导体薄膜晶体管，该氧化物半导体薄膜晶体管使用通过铝膜层压的氧化铝的连续沉积工艺制成
5. Complementary metal oxide semiconductor/bipolar complementary metal oxide semiconductor - integrated circuit for camera chip has single individual layer as last layer of passivation system sealing off integrated circuit [P] . 德国专利： DE10239643B3 . 2004-06-17

机译：互补金属氧化物半导体/双极互补金属氧化物半导体-相机芯片集成电路具有单个单独的层作为钝化系统的最后一层，将集成电路密封