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采用功率连续调控的激光制备高介电常数Ta2O5基陶瓷的方法

摘要

一种采用功率连续调控的激光制备高介电常数Ta2O5基陶瓷的方法,属于陶瓷材料制备领域。其特征在于,它包括以下步骤:采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体,在10~60s的时间内将激光功率密度从初值20~40w/cm2连续提高到烧结功率密度值640~1062w/cm2,开始烧结;经过3~60s的烧结后,在10~60s的时间内连续降低激光功率密度至初值;激光关光,样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高,介电损耗小,制备时间短,过程易于控制,工艺重复性高,可实现无污染烧结,制备样品的纯度高。

著录项

  • 公开/公告号CN1176047C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN03148244.9

  • 发明设计人 蒋毅坚;季凌飞;

    申请日2003-07-04

  • 分类号C04B35/495;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/46;H01B3/12;

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张慧

  • 地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/495 授权公告日:20041117 终止日期:20150704 申请日:20030704

    专利权的终止

  • 2013-11-13

    专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/495 变更前: 变更后: 登记生效日:20131022 申请日:20030704

    专利申请权、专利权的转移

  • 2004-11-17

    授权

    授权

  • 2004-02-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-12-10

    公开

    公开

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