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公开/公告号CN102468269B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-09-23
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201110208149.5
发明设计人 林佑霖;颜孝璁;陈和祥;郭晋玮;周淳朴;
申请日2011-07-22
分类号
代理机构北京德恒律师事务所;
代理人陆鑫
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:30:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-23
授权
2012-07-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/528 申请日:20110722
实质审查的生效
2012-05-23
公开
机译: 与CMOS工艺兼容的槽屏蔽共面带状线
机译: 与CMOS工艺兼容的槽口屏蔽共面带状线
机译:具有有限介质尺寸的多层椭圆,圆柱共面带状线和多层共面带状线的准静态解-不对称情况
机译:CMOS兼容ICP干法刻蚀0.13μmCMOS工艺中微加工共面波导的射频特性
机译:带有基板安装槽的屏蔽悬挂带状线的色散和串联间隙不连续性分析
机译:屏蔽不对称共面骨质线状带状线及其宽带过渡到微带的分散分析
机译:使用简单函数对共面带状线和共面波导的电容行为进行建模。
机译:共面屏蔽对高场MRI的影响
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机译:使用共面波导和带状线的渐消微波探针用于材料的超分辨率成像