法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-07
专利权的转移 IPC(主分类):H01L31/18 登记生效日:20181119 变更前: 变更后: 申请日:20111215
专利申请权、专利权的转移
2015-09-30
授权
授权
2014-05-14
著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/18 变更前: 变更后: 申请日:20111215
著录事项变更
2013-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20111215
实质审查的生效
2013-06-19
公开
公开
机译: 用于通过使用原子层沉积方法向氧化物薄膜掺杂卤素的卤素掺杂源,用于制造卤素用于通过使用原子层沉积来对氧化物薄膜进行卤素掺杂的卤素掺杂源的方法,以及通过使用用于掺杂氧化物薄膜的方法制造的掺杂卤素的氧化物薄膜。含卤素
机译: 卤素掺杂源,其在原子层沉积中可以用卤素掺杂氧化物膜的一部分,通过制造掺杂源的卤素方法,并通过利用卤素源原子层沉积卤素掺杂的氧化物膜部分,氧化物薄膜用掺杂卤素的方法和工艺形成
机译: 卤素掺杂碲化镉-通过区域熔化,用于(伽马)辐射敏感材料和高温半导体