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低电源电压高共模抑制比运算放大器

摘要

本发明公开了一种低电源电压下高共模抑制比运算放大器,该运算放大器包含主跨导级电路、从跨导级电路、第一级负载电路和第二级放大电路;其中,主跨导级电路包括第五P型金属氧化物晶体管、第六P型金属氧化物晶体管、第七P型金属氧化物晶体管、第四N型金属氧化物晶体管和第五N型金属氧化物晶体管;从跨导级电路包括第二P型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第四P型金属氧化物晶体管、第二N型金属氧化物晶体管和第三N型金属氧化物晶体管;第二级放大电路包括第一P型金属氧化物晶体管、第一N型金属氧化物晶体管、第一电容和第一电阻。该结构的运算放大器能够在低电源电压下保证高共模抑制比和高电源抑制比的特性。

著录项

  • 公开/公告号CN103036516B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-09-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201210591649.6

  • 申请日2012-12-31

  • 分类号

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人夏雪

  • 地址 214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号

  • 入库时间 2022-08-23 09:29:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-22

    专利权的转移 IPC(主分类):H03F3/45 登记生效日:20170203 变更前: 变更后: 申请日:20121231

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-09-16

    授权

    授权

  • 2013-05-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F3/45 申请日:20121231

    实质审查的生效

  • 2013-04-10

    公开

    公开

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