一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅硅片制PN结两次扩散的制造方法，该方法包括：步骤S1恒定源扩散、步骤S2升温限定源扩散、步骤S3恒定源扩散。在本发明中，由于步骤S3恒定源扩散，增加了对多晶硅硅片表面杂质磷的沉积。因此，在步骤S1中，可以相应地减少一次沉积的杂质磷，从而避免了杂质磷的过量沉积。并且，步骤S3是在高温下，此时多晶硅对磷原子的固溶度增加，沉积的杂质磷不需要再进行推进，通过控制杂质磷的沉积量来控制杂质磷在多晶硅中的溶解量，避免了由于过量沉积并再次进行推进而产生的“死区”存在。本发明所提供的多晶硅硅片制PN结两次扩散的制造方法能够实现解决多晶硅硅片制PN结后所存在的表面“死层”问题的目的。