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使用籽晶层形成PZT薄膜的方法

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提供了一种使用籽晶层形成PZT(锆钛酸铅：Pb(Zr

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公开/公告号CN1181217C

专利类型发明授权
公开/公告日2004-12-22

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN98126519.7
发明设计人金大植;
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申请日1998-11-20
分类号C23C14/08;C23C16/40;H01G4/10;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 08:57:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-09-29

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/08 授权公告日:20041222 申请日:19981120

专利权的终止
2009-01-21

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-12-22

授权

授权
2001-01-24

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
1999-07-28

公开

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