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低功耗化学气体传感器芯片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种微硅桥的低功耗化学气体传感器芯片结构及其制备方法。低功耗化学气体传感器芯片,是一种桥式的硅微结构,是采用微电子微工艺加工微硅桥、加热电极和敏感电极,最终形成一个在硅框架上带有加热和敏感电极的微硅桥结构。其制造工艺流程如下:1、准备硅片;2、热氧化;3、氮化硅淀积;4、一次光刻;5、刻蚀氮化硅,腐蚀氧化硅,去胶;6、腐蚀硅,腐蚀氮化硅;7、二次光刻;8、溅射铬/铂,剥离;9、淀积氧化硅;10、三次光刻;11、刻蚀氧化硅,去胶;12、划片;13、腐蚀硅至穿通。本发明提供的化学气体传感器芯片及其加工方法,可以实现用微电子技术低成本大批量生产低功耗化学气体传感器。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/407 授权公告日:20050126 申请日:20030228

    专利权的终止

  • 2005-01-26

    授权

    授权

  • 2003-10-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-23

    公开

    公开

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