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顺序横向固化方法加工期间及其后硅薄膜的表面平面化

摘要

揭示了减小通过顺序横向固化工艺生产的多晶或单晶薄膜的表面粗糙度的系统和方法。在一个配置中,该系统包括用于产生具有预定注量的多个准分子激光脉冲的准分子激光器(110);用于可控地调节准分子激光脉冲的注量从而使该注量低于使薄膜完全融化所需的注量的能量密度调节器(120);用于把经调节的激光脉冲在一预定平面内均化的光束均化器(144);用于接收均化的激光脉冲以实行使多晶或单晶薄膜的部分相应于激光脉冲局部融化的样品台(170);用于可控地平移样品台(170)相对于激光脉冲的相对位置的平移装置;以及用于以样品台(170)的相对位置协调准分子脉冲的产生和注量调节从而通过样品台(170)相对于激光脉冲的顺序平移来加工多晶或单晶薄膜的计算机(110)。

著录项

  • 公开/公告号CN1186802C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纽约市哥伦比亚大学托管会;

    申请/专利号CN00810687.8

  • 申请日2000-03-21

  • 分类号H01L21/31;H01L21/00;H01L21/26;H01L21/38;

  • 代理机构上海专利商标事务所;

  • 代理人洪玲

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-05-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/31 授权公告日:20050126 终止日期:20100321 申请日:20000321

    专利权的终止

  • 2005-01-26

    授权

    授权

  • 2002-08-07

    公开

    公开

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