公开/公告号CN102598272B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-26
原文格式PDF
申请/专利权人 思利科材料有限公司;
申请/专利号CN201080018681.4
申请日2010-04-29
分类号H01L29/06(20060101);H01L21/66(20060101);C01B33/037(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;孙向民
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:28:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-16
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/06 授权公告日:20150826 终止日期:20160429 申请日:20100429
专利权的终止
2015-08-26
授权
授权
2012-10-03
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更前: 变更后: 申请日:20100429
著录事项变更
2012-09-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20100429
实质审查的生效
2012-07-18
公开
公开
机译: 生产用于抗穿透性p型太阳能电池的,由升级的冶金级硅制成的铸锭,该铸锭的高度从p型硅的底部到n型硅的头部的高度
机译: 从冶金级硅或精制冶金级硅制造硅基纳米颗粒的过程
机译: 从冶金级硅或精制冶金级硅制造硅基纳米粒子的过程