利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法

摘要

本发明涉及湿法刻蚀中的光刻技术，将抛光的样品用溶剂超声清洗；用热的保护性气体将样品吹干去湿，经粘附增强剂处理；用光刻胶溶液旋转涂覆，在一定温度下烘干去除溶剂；前烘之后的样品完全曝光，再用光刻胶溶液旋转涂覆烘干并掩膜光刻，显影之后固化，得到厚的掩膜光刻胶，最后腐蚀。采用本发明提供的用普通UV光深层光刻的分离曝光技术，解决了微细加工技术中的深度腐蚀问题，简化器件的制备工艺，降低成本。适用于微电子集成电路、集成光路等微细结构的制备。