公开/公告号CN103258777B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-19
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201210530132.6
申请日2012-12-10
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 09:28:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-22
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 授权公告日:20150819 终止日期:20181210 申请日:20121210
专利权的终止
2015-08-19
授权
授权
2015-08-19
授权
授权
2013-09-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20121210
实质审查的生效
2013-09-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20121210
实质审查的生效
2013-08-21
公开
公开
2013-08-21
公开
公开
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机译: 具有具有均匀台阶高度的隔离区域的半导体器件的制造方法
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