一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构，包括：集电区上方形成有基区、N型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离位于N型膺埋层上方；集电区上形成有金属硅化物通过接触孔连接金属连线；N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；发射区形成在基区和浅沟槽隔离上方，发射区上方形成有金属硅化物；其中，发射区上方的金属氧化物位于发射区上方两侧边缘且与发射区相邻，其通过接触孔引出连接金属连线；二氧化硅介质层位于发射区的上方，N型多晶硅层位于二氧化硅介质层上方。本发明还涉及一种所述寄生PNP器件结构的制造方法。本发明的寄生PNP器件结构与传统寄生PNP器件比较能提高电流增益效果，能用作高速、高增益射频电路中的输出器件。