提高PowerMOS器件UIS性能的方法

摘要

本发明公开了一种提高PowerMOS器件UIS性能的方法，包括：在现有功率MOS器件的制备工艺基础上，通过两次源极注入，形成N+N-源极，将MOS寄生N+PN管改为N+N-PN管。本发明通过在原有功率MOS器件的工艺基础上，不增加额外的光罩，仅将原有Source注入由一次改为两次，便可得到UIS性能更加优越的MOS器件。