首页> 中国专利> 用于超大规模集成电路的经硅氧烷聚合物处理的纳米级多孔二氧化硅

用于超大规模集成电路的经硅氧烷聚合物处理的纳米级多孔二氧化硅

摘要

一种表面涂覆的微孔二氧化硅介电薄膜,其制备方法包括下列步骤:在基体上形成微孔二氧化硅介电涂层,和在处理的微孔二氧化硅介电薄膜上有效地形成强度增强和/或疏水性增强层的条件下,用含有聚合物前体的涂层组合物涂覆形成的微孔二氧化硅介电薄膜。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/316 授权公告日:20050202 终止日期:20120823 申请日:20000823

    专利权的终止

  • 2010-09-29

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/316 变更前: 变更后: 申请日:20000823

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2005-02-02

    授权

    授权

  • 2003-02-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-01-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-11-27

    公开

    公开

  • 2002-11-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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