多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺

摘要

本发明属于多晶硅提纯领域，具体涉及一种多晶硅铸锭减少杂质反扩散的二次退火工艺，按照以下步骤进行：（1）多晶硅铸锭工艺中长晶结束后进行第一次退火；（2）将多晶硅铸锭冷却至室温；（3）将多晶硅铸锭进行开方，得到方锭；（4）将方锭放入热处理炉中进行第二次退火，然后将方锭冷却至室温；（5）方锭进行打磨即可。本发明的优点在于：（1）开方阶段已去除杂质含量高的边角料，因此在后期退火时可减轻反向扩散，提高出成率；（2）硅块尺寸相对较小，因此在退火阶段内部温度分布均匀，可提高退火效果；（3）减少了生产周期，提高了生产效率，生产成本降低5%。