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一种用于抛光合金相变材料的化学机械抛光液

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摘要

本发明公开了一种用于抛光合金相变材料的化学机械抛光液，该抛光液含有水、研磨颗粒、氧化剂和去除速率促进剂；所述促进剂为一种或多种可溶性含钨化合物。本发明通过向抛光液中加入经优选的去除速率促进剂，可在提高GST（锗－锑－碲）合金去除速率的同时保持较低的SiO

1. 一种用于抛光合金相变材料的化学机械抛光液 [P] . 中国专利： CN102559056B . 2015.06.17
2. 一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法及抛光液 [P] . 中国专利： CN102441819A . 2012-05-09
3. Chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparation set, chemical mechanical polishing process for the preparation of aqueous dispersion, chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method [P] . 日本专利： JP5327427B2 . 2013-10-30

机译：化学机械抛光水分散液的制备装置，用于制备水分散液的化学机械抛光工艺，化学机械抛光水分散液和化学机械抛光方法
4. Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing phase-change memory device and method for polishing phase-change memory device using the same [P] . 美国专利： US8586464B2 . 2013-11-19

机译：用于抛光相变存储器件的化学机械抛光浆料组合物以及使用该化学机械抛光浆料组合物的抛光相变存储器件的方法
5. Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same [P] . 美国专利： US2009294749A1 . 2009-12-03

机译：用于抛光相变存储器件的化学机械抛光浆料组合物以及使用该化学机械抛光浆料组合物抛光相变存储器件的方法