首页> 中国专利> 结晶状硅晶圆的纹理蚀刻组成物及纹理蚀刻方法(1)

结晶状硅晶圆的纹理蚀刻组成物及纹理蚀刻方法(1)

摘要

本发明涉及一种用于将结晶状硅晶圆纹理化的蚀刻组成物,及一种使用该蚀刻组成物将结晶状硅晶圆蚀刻的方法,该蚀刻组成物包括:(A)碱性化合物;(B)沸点为100℃以上的环状化合物;(C)含氧化硅化合物;及(D)水,尤其涉及一种形成将结晶状硅晶圆表面的光吸收度最大化的微角椎体结构的将结晶状硅晶圆纹理化的蚀刻组合物,以及使用该蚀刻组合物将结晶状硅晶圆蚀刻的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103069049B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东友精细化工有限公司;

    申请/专利号CN201180039229.0

  • 发明设计人 洪亨杓;李在连;林大成;

    申请日2011-08-12

  • 分类号

  • 代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司;

  • 代理人武晨燕

  • 地址 韩国全罗北道

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-17

    授权

    授权

  • 2014-09-17

    著录事项变更 IPC(主分类):C23F 1/32 变更前: 变更后: 申请日:20110812

    著录事项变更

  • 2013-05-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23F 1/32 申请日:20110812

    实质审查的生效

  • 2013-04-24

    公开

    公开

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