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一种多步生长法制备微晶硅薄膜的方法

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本发明涉及太阳能光伏应用领域，特别是一种多步生长法制备微晶硅薄膜的方法。第一步刻蚀其特征在于用氢等离子体处理2-4min，H2流量为15 sccm，得到籽晶层后，使用第一步的生长方法、工艺参数继续第二步生长得到微晶硅薄膜。随后用氢等离子体处理1-2min，H2流量为10 sccm，继续使用第一步生长方法得到微晶硅薄膜，此时工艺参数为SiH4流量为5sccm，H2流量为10 sccm，衬底温度为200-220℃，微波功率450W，沉积时间1h-1.5h。本发明经过多步的等离子体增强化学气相沉积和高纯度H

著录项

公开/公告号CN102790133B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-10

原文格式PDF
申请/专利权人青海天普太阳能科技有限公司;
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申请/专利号CN201210291953.9
发明设计人杨志刚;
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申请日2012-08-16
分类号
代理机构西宁金语专利代理事务所;
代理人哈庆华
地址 810007 青海省西宁市西宁经济技术开发区民和路33号创业园A区
入库时间 2022-08-23 09:26:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-09-04

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20150610 终止日期:20170816 申请日:20120816

专利权的终止
2015-11-18

专利权的转移 IPC(主分类):H01L31/18 登记生效日:20151029 变更前: 变更后: 申请日:20120816

专利申请权、专利权的转移
2015-11-18

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/18 登记生效日:20151029 变更前: 变更后: 申请日:20120816

专利申请权、专利权的转移
2015-06-10

授权

授权
2015-06-10

授权

授权
2013-01-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20120816

实质审查的生效
2013-01-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20120816

实质审查的生效
2012-11-21

公开

公开
2012-11-21

公开

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