具有嵌埋应变诱发材料的晶体管

摘要

本发明提出一种具有嵌埋应变诱发材料的晶体管，当在半导体装置的主动区域中形成开口、以并入应力诱发半导体材料时，通过使用布植制程，可达成较好的均匀性，以选择性地修改该主动区域的曝露部分的蚀刻行为。在此方法中，该开口的基本组构可调整成具有高度弹性，而同时又可减少对于图案负载效应的相依性。因此，晶体管特性的变化性可显著地降低。