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有机氧化镍电阻存储器薄膜的制备及其电学性能测试方法

摘要

本发明公开了一种有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法,采用浸渍提拉法,使用提拉机将有机氧化镍溶胶在超导电极基板上进行薄膜提拉后在室温下干燥,然后对其进行顶电极的溅射,即得到有机氧化镍电阻存储器薄膜;本发明还公开了采用上述制备方法制备的有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能测试方法,将有机氧化镍电阻存储器薄膜采用四根引线法进行连接,用金属铟将引线与测试点进行连接,然后将其固定在样品台上后放入材料综合物性测量仪中进行伏安特性曲线测试并进行疲劳测试。本发明有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法薄膜的制备效率较高、工艺简单、操作方便、成本低;其电学性能的测试方法温度控制准确、操作简单。

著录项

  • 公开/公告号CN103117360B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安理工大学;

    申请/专利号CN201310021385.5

  • 发明设计人 李颖;赵高扬;王娅静;

    申请日2013-01-21

  • 分类号

  • 代理机构西安弘理专利事务所;

  • 代理人李娜

  • 地址 710048 陕西省西安市金花南路5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:26:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-24

    授权

    授权

  • 2013-06-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/00 申请日:20130121

    实质审查的生效

  • 2013-05-22

    公开

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