包含加热步骤、处理步骤和冷却步骤的热处理方法

摘要

本发明涉及一种处理方法，尤其是在反应器壳体(1，2，3)的处理室(4)内对工件，尤其是半导体基板(19)进行镀覆的方法，所述处理室(4)构成可被加热装置(15)加热且具有用于安置所述工件的基座(5)的处理室底部(9)和可被冷却装置(23)冷却的处理室顶部(10)，其中，由处理室顶部(10)与处理室底部(9)的间距所界定的处理室高度(H)是可变的，其中，在加热步骤中，将基座(5)从所述处理室装卸所述工件时的装料/卸料温度加热至处理温度，在之后的处理步骤中，在处理温度下对所述工件进行热处理，随后在冷却步骤中，将基座冷却至装料/卸料温度。为了缩短循环时间推荐，在冷却步骤时使处理室高度(H)取其最小值。