一种室温下气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其包括如下步骤：（1）将n型单晶硅片进行表面腐蚀处理，得到表面为金字塔状阵列结构的n型单晶硅片；（2）在n型单晶硅片表面制备单质铜层，得到覆铜n型单晶硅片；（3）制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜：20-30℃下将步骤（2）得到的覆铜n型单晶硅片放入布满饱和碘蒸气的密闭反应器中反应15-50分钟。该方法在室温条件下制备，覆铜表面完全转化形成碘化亚铜，反应温度低，对单晶硅基底无影响，且反应过程可控，操作方便，制备时间短。