退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN102981546B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-05-06
原文格式PDF
申请/专利权人 国民技术股份有限公司;
申请/专利号CN201210483293.4
发明设计人 赵辉;沈晔;庄奕琪;汤华莲;刘俊逸;
申请日2012-11-23
分类号
代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人何青瓦
地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302
入库时间 2022-08-23 09:25:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-05-06
授权
2013-04-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20121123
实质审查的生效
2013-03-20
公开
机译: 开关电容器,曲率补偿带隙基准电压源
机译: 曲率补偿带隙基准电压源
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /℃BiCMOS带隙基准电压源
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:具有分段补偿的高PSRR带隙基准电压源
机译:具有65nm CMOS工艺的MOS晶体管曲率补偿的高精度带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:三元光物理性质的研究Zn-Ga-S量子点:带隙与亚带隙激发和排放
机译:4H–SiC中的宽温度范围集成带隙基准电压源
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)