高选择性梳状CdS纳米材料的合成方法

摘要

本发明公开一种高选择性梳状CdS纳米材料的合成方法，其特征在于：包含以下步骤：(1)Si片上沉积Au膜；(2)CdS粉末放置在陶瓷舟里，并整体推入石英管内，后将镀有Au膜的Si片放置在陶瓷舟左侧；(3)密封石英管，抽气，从陶瓷舟的右侧引入氩气，管内压强保持在0.1MPa，将反应温度升至800℃，并在氩气的保护下恒温2h，待反应温度降到室温后，即得。研究结果表明该方法具有非常高的可重复性，且操作简单、环境友好。