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芯片可接受度测试方法

摘要

本发明提供了一种芯片可接受度测试方法。该芯片可接受度测试方法包括:中间扫描值设定步骤,用于设定介于扫描起始值和扫描终值之间的第一中间扫描值;电流测量步骤,用于根据第一中间扫描值测量流经MOS晶体管的漏极的第一电流值;第一比较判断步骤,用于比较第一电流值的绝对值和基准电流值的绝对值;和扫描测试步骤,用于在第一电流值的绝对值不小于基准电流值的绝对值的情况下,将扫描起始值到第一中间扫描值的范围确定为扫描范围来对MOS晶体管进行扫描测试。根据本发明的该芯片可接受度测试方法在保持测试精度的情况下极大地提高了测试速度。

著录项

  • 公开/公告号CN102004218B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201010278654.2

  • 发明设计人 戴晓明;

    申请日2010-09-10

  • 分类号G01R31/28(20060101);G01R31/26(20140101);G01R19/165(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑玮

  • 地址 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:25:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-20

    授权

    授权

  • 2014-06-11

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G01R 31/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20140515 申请日:20100910

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-02-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/28 申请日:20100910

    实质审查的生效

  • 2011-04-06

    公开

    公开

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