一次可编程半导体非易失性存储器件及其制造方法

摘要

一种半导体非易失性存储器件及其制造方法，它提高了氧化硅膜的绝缘破坏的再现性和可靠性并且能降低生产成本，其中，排列成矩阵形式的多个存储单元的每个存储单元具有绝缘膜破坏型保险丝，绝缘膜破坏型保险丝包括在半导体衬底上形成的第一导电类型的杂质区、在半导体衬底上形成的覆盖杂质区的第一绝缘膜、在第一绝缘膜中形成的达到杂质区的开口以及从杂质区一侧顺序叠置在开口中的第一导电类型的第一半导体层、第二绝缘膜和第二导电类型的第二半导体层；或者，具有绝缘膜破坏型保险丝，绝缘膜破坏型保险丝包括在具有SOI结构的第一半导体层中的第一导电类型的杂质区、在SOI层上的第一绝缘膜、达到杂质区的开口以及叠置在开口中的第二绝缘膜和第二导电类型的第二半导体层。