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薄膜晶体管的电学性能模型

摘要

一种自动化计算方法与设备,它根据电流-电压测量和电容-电压测量来计算薄膜晶体管的体态信息和界面态信息,包括下列各步骤:从输入电容-电压测量计算平带电压;将高斯定律的基本表达式和计算得的平带电压应用于定义电容的电容电压关系式,由此计算栅表面电位与栅/源电压间关系式;将高斯定律应用于计算得的栅表面电位与栅/源电压间关系式,由此计算并输出界面态;使用计算得的平带电压,从电流-电压测量计算电导/栅电压数据;进行初始化过程,其中使用了计算得的电导/栅电压数据以及计算得的栅表面电位与栅/源电压间关系式,所述初始化过程使用电导方程并由此计算平带电压处电子电导初值、平带电压处空穴电导初值、态密度函数初值,以及费米能初值;并使用所述初始化过程计算得的各项初值以及计算得的电导/栅电压数据,根据泊松方程进行迭代过程,由此计算并输出体态信息。

著录项

  • 公开/公告号CN1156709C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 精工爱普生株式会社;

    申请/专利号CN00801661.5

  • 发明设计人 B·卢伊;P·米格利奥拉托;

    申请日2000-06-15

  • 分类号G01R31/26;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人王勇;梁永

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 31/26 授权公告日:20040707 终止日期:20160615 申请日:20000615

    专利权的终止

  • 2004-07-07

    授权

    授权

  • 2004-07-07

    授权

    授权

  • 2001-12-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2001-12-19

    公开

    公开

  • 2001-12-19

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2001-12-19

    公开

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