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由半导体陶瓷制成的单片电子元件

摘要

一种由半导体陶瓷制成的单片电子元件,该元件包括交替堆叠的半导体陶瓷层与内部电极层组成的煅烧叠层以及形成于煅烧叠层上的外部电极,其中每层半导体陶瓷层包括半导体化煅烧钛酸钡,其包含下列物质:氧化硼;从钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素中选择的至少一种金属的第一氧化物;以及从钛、锡、锆、铌、钨和锑中选择的至少一种金属的第二氧化物,注入的氧化硼数量按还原的原子硼计满足一定的关系。

著录项

  • 公开/公告号CN1155014C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社村田制作所;

    申请/专利号CN00103732.3

  • 发明设计人 新见秀明;松永达也;

    申请日2000-03-03

  • 分类号H01C7/02;C04B35/46;

  • 代理机构上海专利商标事务所;

  • 代理人李湘

  • 地址 日本京都府

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-27

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H01C7/02 授权公告日:20040623 申请日:20000303

    专利权的终止

  • 2004-06-23

    授权

    授权

  • 2004-06-23

    授权

    授权

  • 2000-09-13

    公开

    公开

  • 2000-09-13

    公开

    公开

  • 2000-08-02

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 2000-08-02

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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