一种TiNi基形状记忆合金多层薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供的是一种TiNi基形状记忆合金多层薄膜及其制备方法。(一)、将衬底置于真空室样品台上，抽真空,采用TiNi基合金或者将纯金属粘贴在TiNi合金上作为靶材，充入氩气，将样品台加热至250～450°C，然后在溅射功率为200～600W，靶材与衬底间距为60～200mm的条件下溅射制备一层薄膜；(二)、将电源切换至另外的靶位，以同样条件制备在步骤（一）获得的薄膜上沉积一层薄膜；（三）、重复步骤（二），即可得到所需要的多层薄膜。本发明制备的TiNi基记忆合金多层膜的相变温度区间大，阻尼性能优异。本发明所采用的工艺简单，与现有微机电系统制造工艺兼容性好。