可变电阻元件及其制造方法以及具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置

摘要

本发明提供减少成形电压的元件间偏差并能够降低成形电压的结构的可变电阻元件及其制造方法、以及具有该可变电阻元件的高集成的非易失性半导体存储装置。可变电阻元件（2）构成为在第一电极（15）和第二电极（12）之间夹持电阻变化层（第一金属氧化物膜）（13）以及与第一电极（15）相接的控制层（第二金属氧化物膜）（14）。控制层（14）由功函数小（4.5eV以下）并且具有从电阻变化层抽取氧的能力的金属的氧化膜构成。第一电极由与该金属同样地功函数小的金属构成，并且，为了抑制来自控制层的氧的热扩散，以其氧化物生成自由能大于构成控制层的元素的氧化物生成自由能的材料构成。