IC内连线和层间介质层之间的空气间隔形成方法

摘要

本发明公开了一种IC内连线和层间介质层之间的空气间隔形成方法，包括：提供半导体器件，在所述半导体器件上依次形成第一电介质阻挡层和层间介质层；在所述层间介质层上刻蚀出牺牲区并露出所述第一电介质阻挡层；在所述牺牲区中沉积氧化物；刻蚀部分氧化物形成沟槽，并在所述沟槽中继续刻蚀所述氧化物和第一电介质阻挡层直至露出半导体器件的源漏区或者栅极，形成通孔；在所述沟槽和通孔内电化学镀内连线；去除剩余的氧化物形成空气间隔。本发明的方法形成了内连线和层间介质层之间的空气间隔，从而降低了内连线的电容影响，进而降低内连线的RC延迟，加快了内连线的信号传递速度。