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一种用于提高传统离子迁移管灵敏度的方法

摘要

本发明公开了一种用于提高传统离子迁移管灵敏度的方法,首先使得离子迁移管在离子门关闭时电离区的电压V1、第一离子门栅的电压V2以及第二离子门栅的电压V3满足如下公式:V1=V3>V20,在开门瞬间,对电离区的电压V1施加一个同原先电压极性相同、幅度为ΔV1的脉冲,对第一离子门栅的电压V2也施加一个同原先电压极性相同、幅度为ΔV的脉冲,使得:(V1+ΔV1)(V2+ΔV)>V30,由此在关门时,在电离区积累的离子,在电场力的作用下,瞬间进入迁移区进行迁移。利用该方法使得传统结构的离子迁移管在离子利用率上能提高5倍以上,对常见样品的极限探测灵敏度能提升5至10倍,大幅提高仪器的灵敏度性能指标。

著录项

  • 公开/公告号CN102903598B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 公安部第三研究所;

    申请/专利号CN201210409048.9

  • 发明设计人 袁曦;陈勇;疏天民;金洁;

    申请日2012-10-24

  • 分类号H01J49/26(20060101);

  • 代理机构31224 上海天翔知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘粉宝

  • 地址 200031 上海市徐汇区岳阳路76号

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-15

    授权

    授权

  • 2013-03-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 49/26 申请日:20121024

    实质审查的生效

  • 2013-01-30

    公开

    公开

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