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一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法

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摘要

本发明公开了一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法，包括如下步骤：(1) 将生长掺杂剂的硅片放于扩散炉中，升温至750~800℃，炉内环境为N

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-01

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20120314

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-04-01

授权

授权
2015-04-01

授权

授权
2012-09-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20120314

实质审查的生效
2012-09-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20120314

实质审查的生效
2012-07-18

公开

公开
2012-07-18

公开

公开

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1. 一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法 [P] . 中国专利： CN102593262B . 2015.04.01
2. 一种制备多晶硅太阳能电池发射极的扩散方法 [P] . 中国专利： CN102280373A . 2011-12-14
3. Method for forming selective emitter of solar cell and diffusion apparatus for forming the selective emitter [P] . 韩国专利： KR100994182B1 . 2010-11-12

机译：形成太阳能电池的选择性发射极的方法和用于形成选择性发射极的扩散装置
4. Method for manufacturing silicon solar cell with selective emitter, involves producing laminar emitter at emitter surface of solar cell substrate and applying corroding barrier on sub ranges of emitter surface [P] . 德国专利： DE102007035068A1 . 2009-01-29

机译：具有选择性发射极的硅太阳能电池的制造方法，包括在太阳能电池基板的发射极表面上产生层状发射极，并在发射极表面的子范围上施加腐蚀阻挡层
5. Method for preparing selective emitter layer, selective emitter layer prepared by the same, and silicone solar-cell comprising the same [P] . 韩国专利： KR101406339B1 . 2014-06-16

机译：制备选择性发射极层的方法，由其制备的选择性发射极层以及包括该选择性发射极层的有机硅太阳能电池