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公开/公告号CN102695986B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-11
原文格式PDF
申请/专利权人 第一毛织株式会社;
申请/专利号CN201080060358.3
发明设计人 金旼秀;田桓承;赵诚昱;吴丞培;宋知胤;
申请日2010-10-11
分类号
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人李丙林
地址 韩国庆尚北道
入库时间 2022-08-23 09:24:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-11
授权
2012-11-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/11 申请日:20101011
实质审查的生效
2012-09-26
公开
机译: 用于抗蚀剂下层的含芳环的聚合物,包括该聚合物的抗蚀剂下层组合物以及使用该聚合物的图案形成装置的方法
机译: 用于含芳环的聚合物的抗蚀剂下层膜和包含其的抗蚀剂下层膜组合物
机译: 用于含芳环聚合物的抗蚀剂下层膜和包含其的抗蚀剂下层膜组合物
机译:开发用于滤色片抗蚀剂的含主链醚环的聚合物“ Acrycure〜R RD系列”
机译:含氟聚合物的抗蚀剂,用于157 nm光刻的单抗蚀剂工艺
机译:用于氧等离子体抗蚀剂应用的含硅聚合物纳米片
机译:基于环烯烃聚合物的用于193 nm单层抗蚀剂的新型聚合物
机译:纳米多孔聚合物,用于储氢和用作薄膜抗蚀剂的硫
机译:优化的等离子体辅助双层光致抗蚀剂制造方案用于在多孔聚合物膜上高分辨率地细微制造薄膜金属电极
机译:新型有机抗蚀剂纳米级成像。从化学扩增的环脂族抗蚀剂到树枝状聚合物单层。
机译:用于光致抗蚀剂或聚合物的蚀刻方法