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一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法

摘要

本发明涉及一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法,属于电力、电子工业、冶金工业、半导体材料、石油能源技术领域。本方法首先在圆柱形永磁体的一侧设置转矩传感器,驱动圆柱形永磁体旋转,使不含缺陷的导体与旋转的圆柱形永磁体靠近,测得圆柱形永磁体的旋转角速度随时间变化的参考曲线,再测得带有缺陷的永磁体的旋转角速度随时间变化的多个标定曲线,使永磁体靠近被测导体,得到测量曲线,将测量曲线与标定曲线进行比较,得到被测导体的缺陷尺寸。本发明方法适用于线材、管材以及薄板类的导体,且被测导体无须运动,简化了测量条件、测量过程和测量成本,简化了测量设备,易于实现自动化和小型化,可以应用到更多的领域和环境中。

著录项

  • 公开/公告号CN102818838B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院研究生院;

    申请/专利号CN201210291201.2

  • 发明设计人 王晓东;

    申请日2012-08-15

  • 分类号

  • 代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人罗文群

  • 地址 100049 北京市石景山区玉泉路19号(甲)

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-04

    授权

    授权

  • 2013-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/82 申请日:20120815

    实质审查的生效

  • 2012-12-12

    公开

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