首页> 中国专利> 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺

一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺

摘要

本发明涉及一种选择性发射极晶体硅太阳电池的磷浆扩散工艺,对扩散工艺步骤进行相关参数调整,找到适合选择性发射极晶体硅太阳电池磷浆的扩散方式,使得产生明显的重掺杂区和浅掺杂区,可以提高光线的短波响应,使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善,从而提高光电转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN102732967B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上饶光电高科技有限公司;

    申请/专利号CN201210177197.7

  • 申请日2012-06-01

  • 分类号C30B31/02(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构36100 江西省专利事务所;

  • 代理人杨志宇

  • 地址 334100 江西省上饶市经济开发区旭日片区

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-25

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 31/02 变更前: 变更后: 申请日:20120601

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-03-11

    授权

    授权

  • 2012-12-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 31/02 申请日:20120601

    实质审查的生效

  • 2012-10-17

    公开

    公开

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