首页> 中国专利> 感测放大器以及包括感测放大器的半导体存储装置

感测放大器以及包括感测放大器的半导体存储装置

页面导航

摘要

本发明公开了一种感测放大器和包括感测放大器的半导体存储装置。该感测放大器包括具有连接至第一线的输入端和连接至第二线的输出端的第一反相器和具有连接至第二线的输入端和连接至第一线的输出端的第二反相器，其中第一反相器的NMOS晶体管和第二反相器的NMOS晶体管具有彼此不同的阱偏置。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 7/06 授权公告日:20150211 终止日期:20161231 申请日:20091231

专利权的终止
2015-02-11

授权

授权
2015-02-11

授权

授权
2012-09-26

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/06 申请日:20091231

实质审查的生效
2012-09-26

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/06 申请日:20091231

实质审查的生效
2011-03-30

公开

公开
2011-03-30

公开

公开

查看全部

1. 感测放大器以及包括感测放大器的半导体存储装置 [P] . 中国专利： CN101996673B . 2015.02.11
2. 感测放大器和使用感测放大器的半导体存储装置 [P] . 中国专利： CN110277111A . 2019-09-24
3. Sense amplifier for sensing multi-level cell and memory device including the sense amplifier [P] . 美国专利： US10706911B1 . 2020-07-07

机译：用于感测多级单元的感测放大器和包括该感测放大器的存储装置
4. Sense amplifier for high speed sensing, memory apparatus and system including the same [P] . 美国专利： US9972366B2 . 2018-05-15

机译：用于高速感测的感测放大器，包括该感测放大器的存储装置和系统
5. Sense amplifier, nonvolatile memory device including the sense amplifier and sensing method of the sense amplifier [P] . 美国专利： US9349428B2 . 2016-05-24

机译：感测放大器，包括该感测放大器的非易失性存储装置及其感测方法