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功率半导体器件及使用该器件的功率转换系统

摘要

对于已知模块而言,由于导线电感的存在,IGBT截止时的峰值电压值比直流电压高出浪涌电压的量,换言之具有高额定电压的元件是必要的。具有高额定电压的芯片导致模块和应用该芯片的设备的尺寸增大以及成本增加。第一IGBT、其阴极连接到第一IGBT发射极的二极管、具有反向阻断电压的第二IGBT容纳于一个封装中,其中第二IGBT的发射极连接到第一IGBT的发射极。

著录项

  • 公开/公告号CN102214644B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-02-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士电机株式会社;

    申请/专利号CN201110051644.X

  • 发明设计人 泷泽聪毅;谷津诚;

    申请日2011-02-22

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人张欣

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-25

    授权

    授权

  • 2013-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/07 申请日:20110222

    实质审查的生效

  • 2011-10-12

    公开

    公开

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