公开/公告号CN102962465B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-02-04
原文格式PDF
申请/专利权人 德清森腾电子科技有限公司;
申请/专利号CN201210482756.5
发明设计人 柯昕;
申请日2012-11-22
分类号B22F9/04(20060101);B22D11/06(20060101);C22C38/06(20060101);C22C38/34(20060101);C22C38/40(20060101);H01F1/147(20060101);
代理机构33214 杭州丰禾专利事务所有限公司;
代理人王从友
地址 313200 浙江省湖州市德清县武康镇长虹中街333号
入库时间 2022-08-23 09:23:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-20
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B22F 9/04 变更前: 变更后: 申请日:20121122
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-02-04
授权
授权
2015-02-04
授权
授权
2013-04-10
实质审查的生效 IPC(主分类):B22F9/04 申请日:20121122
实质审查的生效
2013-04-10
实质审查的生效 IPC(主分类):B22F 9/04 申请日:20121122
实质审查的生效
2013-03-13
公开
公开
2013-03-13
公开
公开
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机译: 在低磁导率的情况下略微增加铁-硅-或铁-硅-铝合金磁性材料的生成方法
机译: 从传统的金属电还原炉中生产的铁硅或硅中施用低含量的钙和铝的硅铁和硅的过程。通过单独注入二氧化碳或与氧气和氧气混合,通过杂质的氧化来氧化杂质/或氮在存在或不存在炉渣的情况下
机译: 一种提高铁硅硅铁铝和铁合金铝硅的初始磁导率的方法