一种超低介电常数薄膜生长中形成渐进二氧化硅层的方法

摘要

本发明一种超低介电常数薄膜生长中形成渐进二氧化硅层的方法，其中，主要包括以下步骤：在超低介电层的上表面沉积渐进富二氧化硅层，在渐进富二氧化硅层的上表面沉积金属硬掩膜层。通过使用本发明一种超低介电常数薄膜生长中形成渐进二氧化硅层的方法，使渐进富二氧化硅层沉积在超低介电层上，不再需要硬掩膜，提高了超低介电层薄膜与下一步互连层的粘着性，且大大地降低了成本。