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离子注入中的增强型低能离子束传输

摘要

一种离子注入方法和系统包括束中和以减轻束散,该束散在低能大电流离子束中可能是特别有问题的。束中和部件可以位于其中扩大可能发生的系统中。中和部件包括变化的激励场产生部件,其产生中和离子束的等离子体,由此减轻束散。以变化的频率和/或场强度产生激励场,以维持中和等离子体,同时减轻降低中和等离子体的作用的等离子体壳层的形成。

著录项

  • 公开/公告号CN102292792B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 艾克塞利斯科技公司;

    申请/专利号CN201080005105.6

  • 申请日2010-01-22

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴敬莲

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-21

    授权

    授权

  • 2012-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/317 申请日:20100122

    实质审查的生效

  • 2011-12-21

    公开

    公开

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