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红外发光元件用外延晶片和使用该晶片的发光元件

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红外发光元件用外延晶片具备在n型GaAs衬底上边，用液相生长法依次叠层了第1n型Ga

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公开/公告号CN1159773C

专利类型发明授权
公开/公告日2004-07-28

原文格式PDF
申请/专利权人昭和电工株式会社;
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申请/专利号CN00118399.0
发明设计人吉永敦;山本淳一;山崎昭弘;
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申请日2000-06-16
分类号H01L33/00;H01S5/30;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址日本东京
入库时间 2022-08-23 08:56:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-10

专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20040728 申请日:20000616

专利权的终止
2020-07-10

专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L33/00 授权公告日:20040728 申请日:20000616

专利权的终止
2005-01-05

发明专利说明书更正更正卷:20 号:30 页码:扉页更正项目:发明人误:山崎明弘正:北崎明弘申请日:20000616

发明专利说明书更正
2005-01-05

发明专利公报更正更正卷:20 号:30 页码:513 更正项目:发明人误:山崎明弘正:北崎明弘申请日:20000616

发明专利公报更正
2005-01-05

发明专利说明书更正更正卷:20 号:30 页码:扉页更正项目:发明人误:山崎明弘正:北崎明弘申请日:20000616

发明专利说明书更正
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发明专利公报更正更正卷:20 号:30 页码:513 更正项目:发明人误:山崎明弘正:北崎明弘申请日:20000616

发明专利公报更正
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发明专利公报更正更正卷:20 号:30 页码:513 更正项目:发明人误:山崎明弘正:北崎明弘申请日:20000616

发明专利公报更正
2005-01-05

发明专利说明书更正更正卷:20 号:30 页码:扉页更正项目:发明人误:山崎明弘正:北崎明弘申请日:20000616

发明专利说明书更正
2004-07-28

授权

授权
2004-07-28

授权

授权
2004-07-28

授权

授权
2001-05-30

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2001-05-30

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2001-05-30

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2000-12-27

公开

公开
2000-12-27

公开

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2000-12-27

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